半导体的能带结构是不连续的,充满电子的价带(VB)和空的导带(CB)之间由禁带隔开。在pH为1时的带隙是3.2eV。用光照射半导体光催化剂时,当光子能量高于半导体的禁带度,半导体的价带电子发生带间跃迁,即从价带跃迁到导带,从而产生光生空穴和电子;这些生空穴和电子具有很强的氧化和还原能力,可以将吸附到光催化剂表面的污染物彻底降解为无无害的无机小分子化合物,无二次污染问题。
原标题:新型VOC废气处理技术